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A New Method to Measure Trap Characteristics of Silicon Solar Cells
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Sn-based type-VIII single-crystal clathrates with a large figure of merit
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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High Lattice Match Growth of InAsSb Based Materials by Molecular Beam Epitaxy
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Short period InAs/GaSb superlattice infrared detector on GaAs substrates
Veröffentlicht in Hong wai yu hao mi bo xue bao
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Study of Mesa Etching for Infrared Detector Based on InAs/GaSb Superlattice
Veröffentlicht in Advanced materials research
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