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An asymmetric heterostructure waveguide structure for semiconductor lasers
Veröffentlicht in Hong wai yu hao mi bo xue bao
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Diode End-Pumped Passively Q-Switched Nd3+:GdVO4 Self-Raman Laser at 1176 nm
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Design and optimization of DBR in 980 nm bottom-emitting VCSEL
Veröffentlicht in Science China. Information sciences
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Diode End-Pumped Passively Q-Switched Nd 3+ :GdVO 4 Self-Raman Laser at 1176 nm
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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