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Device Characteristics of InGaSb/AlSb High-Hole-Mobility FETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
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InGaSb/AlSb p-channel HFETs with hydrogen plasma treatment
Veröffentlicht in Electronics letters
VolltextArtikel -
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Time-dependent device characteristics in InAs/AlSb HEMTs
Veröffentlicht in Solid-state electronics
VolltextArtikel -
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InGaSb/AlSb p-channel HFETs with hydrogen plasma treatment
Veröffentlicht in Electronics letters
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