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A super-junction SOI-LDMOS with low resistance electron channel
Veröffentlicht in Chinese physics B
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A 4H-SiC merged P–I–N Schottky with floating back-to-back diode
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Large energy-loss straggling of swift heavy ions in ultra-thin active silicon layers
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Experiment on Poisson's Ratio Determination about Corn Kernel
Veröffentlicht in Advanced materials research
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The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO2-Si3N4 films
Veröffentlicht in 中国物理B:英文版
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Snapback-free and low-loss SAG-LIGBT with self-driving auxiliary gate
Veröffentlicht in IET power electronics
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Snapback-free RC-LIGBT with integrated LDMOS and LIGBT
Veröffentlicht in Micro & nano letters
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