Black-Silicon Ultraviolet Photodiodes Achieve External Quantum Efficiency above 130 von Garin, M., Heinonen, J., Werner, L., Pasanen, T. P., Vähänissi, V., Haarahiltunen, A., Juntunen, M. A., Savin, H.

Volltext

Quantum efficiency of black silicon photodiodes at VUV wavelengths von Tsang, T, Bolotnikov, A, Haarahiltunen, A, Heinonen, J

Volltext

Modeling of light-induced degradation due to Cu precipitation in p-type silicon. II. Comparison of simulations and experiments von Vahlman, H., Haarahiltunen, A., Kwapil, W., Schön, J., Inglese, A., Savin, H.

Volltext

Modeling of light-induced degradation due to Cu precipitation in p-type silicon. I. General theory of precipitation under carrier injection von Vahlman, H., Haarahiltunen, A., Kwapil, W., Schön, J., Inglese, A., Savin, H.

Volltext

Role of copper in light induced minority-carrier lifetime degradation of silicon von Savin, H., Yli-Koski, M., Haarahiltunen, A.

Volltext

Phosphorus and boron diffusion gettering of iron in monocrystalline silicon von Talvitie, H., Vähänissi, V., Haarahiltunen, A., Yli-Koski, M., Savin, H.

Volltext

Erratum: “Room-temperature method for minimizing light-induced degradation in crystalline silicon” [Appl. Phys. Lett. 101 , 232108 (2012)] von Lindroos, J., Yli-Koski, M., Haarahiltunen, A., Savin, H.

Volltext

Room-temperature method for minimizing light-induced degradation in crystalline silicon von Lindroos, J., Yli-Koski, M., Haarahiltunen, A., Savin, H.

Volltext

Analysis of simultaneous boron and phosphorus diffusion gettering in silicon von Schön, J., Schubert, M. C., Warta, W., Savin, H., Haarahiltunen, A.

Volltext

Physical mechanisms of boron diffusion gettering of iron in silicon von Vähänissi, V., Haarahiltunen, A., Talvitie, H., Yli-Koski, M., Lindroos, J., Savin, H.

Volltext

Iron segregation in silicon-on-insulator wafer with polysilicon interlayer von Yli-Koski, M., Haarahiltunen, A., Hintsala, J., Savin, H.

Volltext

As-grown iron precipitates and gettering in multicrystalline silicon von Haarahiltunen, A., Savin, H., Yli-Koski, M., Talvitie, H., Asghar, M.I., Sinkkonen, J.

Volltext

Gettering of iron in silicon by boron implantation von Haarahiltunen, A., Talvitie, H., Savin, H., Anttila, O., Yli-Koski, M., Asghar, M. I., Sinkkonen, J.

Volltext

Results on radiation hardness of black silicon induced junction photodetectors from proton and electron radiation von Heinonen, J., Modanese, C., Haarahiltunen, A., Kettunen, H., Rossi, M., Jaatinen, J., Juntunen, M.A.

Volltext

Sensitive copper detection in P-type CZ silicon using μPCD von VÄINÖLÄ, H, YLI-KOSKI, M, HAARAHILTUNEN, A, SINKKONEN, J

Volltext

Quantitative copper measurement in oxidized p -type silicon wafers using microwave photoconductivity decay von Väinölä, H., Saarnilehto, E., Yli-Koski, M., Haarahiltunen, A., Sinkkonen, J., Berenyi, G., Pavelka, T.

Volltext

Competitive iron gettering between internal gettering sites and boron implantation in CZ-silicon von Asghar, M.I., Yli-Koski, M., Savin, H., Haarahiltunen, A., Talvitie, H., Sinkkonen, J.

Volltext

Gettering of iron in CZ-silicon by polysilicon layer von Haarahiltunen, A., Yli-Koski, M., Talvitie, H., Vähänissi, V., Lindroos, J., Savin, H.

Volltext

Gettering in silicon-on-insulator wafers with polysilicon layer von Savin, H., Yli-Koski, M., Haarahiltunen, A., Virkkala, V., Talvitie, H., Asghar, M.I., Sinkkonen, J., Hintsala, J.

Volltext

Modeling of heterogeneous precipitation of iron in silicon von Haarahiltunen, A., Väinölä, H., Anttila, O., Saarnilehto, E., Yli-Koski, M., Storgårds, J., Sinkkonen, J.

Volltext