InGaAs/InGaP HEMTs: technological optimization and analytical modelling von Kuzmı&#x0301, k, J., Hasenöhrl, S., Kúdela, R., Haščı&#x0301, k, Š., Mozolová, Ž., Lalinský, T., Vogrinčič, P., Breza, J., Škriniarová, J., Fox, A., Kordoš, P.

Volltext

T-shaped gates for heterostructure field effect transistors von Lalinský, T., Škriniarová, J., Kostič, I., Hart van der, A., Hrkút, P., Haščı&#x0301, k, Š., Matay, L., Mozolová, Ž., Kordoš, P.

Volltext

The influence of process parameters and annealing temperature on the physical properties of sputtered NiO thin films von Hotovỳ, I., Huran, J., Spiess, L., Liday, J., Sitter, H., Hašcı&#x0301, k, Š.

Volltext