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Electron mobility enhancement in (100) oxygen-inserted silicon channel
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Analysis of 7/8-nm Bulk-Si FinFET Technologies for 6T-SRAM Scaling
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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(Invited) Applications of Oxygen Inserted Epitaxy
Veröffentlicht in Meeting abstracts (Electrochemical Society)
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