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Inhomogeneous Ni/Ge Schottky barriers due to variation in Fermi-level pinning
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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High-quality NiGe/Ge diodes for Schottky barrier MOSFETs
Veröffentlicht in Materials science in semiconductor processing
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Exchange bias effects in ferromagnetic wires
Veröffentlicht in Journal of magnetism and magnetic materials
VolltextArtikel -
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