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1
CMP process for processing STI on two distinct silicon planes
von
HU BINGHUA
,
WOFFORD BILLY ALAN
,
HUNT KYLE P
,
HOSEIN ASADD M
,
NORIEGA LEILA ELVIRA
,
CHEN XINFEN
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Method for selectively etching portions of a layer of material based upon a density or size of semiconductor features located thereunder
von
Hunt, Kyle
,
Bhatt, Neel
,
Hosein, Asadd M
,
Vialpando, Brian L
,
Morrison, William R
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3
Method for selectively etching portions of a layer of material based upon a density or size of semiconductor features located thereunder
von
BHATT NEEL
,
VIALPANDO BRIAN L
,
HOSEIN ASADD M
,
MORRISON WILLIAM R
,
HUNT KYLE
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4
METHOD FOR SELECTIVELY ETCHING PORTIONS OF A LAYER OF MATERIAL BASED UPON A DENSITY OR SIZE OF SEMICONDUCTOR FEATURES LOCATED THEREUNDER
von
BHATT NEEL
,
VIALPANDO BRIAN L
,
HOSEIN ASADD M
,
MORRISON WILLIAM R
,
HUNT KYLE
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5
CMP PROCESS FOR PROCESSING STI ON TWO DISTINCT SILICON PLANES
von
HU BINGHUA
,
WOFFORD BILLY ALAN
,
HUNT KYLE P
,
HOSEIN ASADD M
,
NORIEGA LEILA ELVIRA
,
CHEN XINFEN
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6
Field oxide profile of an isolation region associated with a contact structure of a semiconductor device
von
JAN DER-E
,
ARCH JOHN KENNETH
,
HU BINGHUA
,
MERCER BETTY SHU
,
HOSEIN ASADD M
,
MAHALINGAM PUSHPA
,
THOMPSON C. MATTHEW
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Patent
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7
Field oxide profile of an isolation region associated with a contact structure of a semiconductor device
von
JAN DER-E
,
ARCH JOHN KENNETH
,
HU BINGHUA
,
MERCER BETTY SHU
,
HOSEIN ASADD M
,
MAHALINGAM PUSHPA
,
THOMPSON C. MATTHEW
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Bis:
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Esp@Cenet
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