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Metastable GaAsBi Alloy Grown by Molecular Beam Epitaxy
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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New Semiconductor GaNAsBi Alloy Grown by Molecular Beam Epitaxy
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Initial growth of heteroepitaxial 3C–SiC on Si using energetic species
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Low-resistance p+ layer formation into diamond using heavily B ion implantation
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Au+-ion-implanted silica glass with non-linear optical property
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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