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Semiconductor device and method of fabricating the same
von
Hyun, Sangjin
,
Shin, Yugyun
,
Na, Hoonjoo
,
Park, Hongbae
,
Hong, Sughun
,
Lee, Hye-Lan
,
Hong, Hyung-Seok
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2
Semiconductor device having selectively nitrided gate insulating layer and method of fabricating the same
von
HAN SUNGKEE
,
HYUN SANGJIN
,
SON HYEOKJUN
,
HONG SUGHUN
,
KANG SANGBOM
,
HONG HYUNG-SEOK
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SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELECTIVELY NITRIDED GATE INSULATING LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
von
HAN SUNGKEE
,
HYUN SANGJIN
,
SON HYEOKJUN
,
HONG SUGHUN
,
KANG SANGBOM
,
HONG HYUNG-SEOK
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4
Semiconductor device and method of fabricating the same
von
HYUN SANGJIN
,
PARK HONGBAE
,
HONG SUGHUN
,
HONG HYUNG-SEOK
,
NA HOONJOO
,
LEE HYE-LAN
,
SHIN YUGYUN
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5
Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same
von
HYUN SANGJIN
,
PARK HONGBAE
,
HONG SUGHUN
,
HONG HYUNG-SEOK
,
NA HOONJOO
,
LEE HYE-LAN
,
SHIN YUGYUN
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Semiconductor device and method of fabricating the same
von
HYUN SANGJIN
,
PARK HONGBAE
,
HONG SUGHUN
,
HONG HYUNG-SEOK
,
NA HOONJOO
,
LEE HYE-LAN
,
SHIN YUGYUN
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Semiconductor Device And Method Of Fabricating The Same
von
HYUN SANGJIN
,
PARK HONGBAE
,
HONG SUGHUN
,
HONG HYUNG-SEOK
,
NA HOONJOO
,
LEE HYE-LAN
,
SHIN YUGYUN
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Esp@Cenet
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