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GaN-Based Light-Emitting Diode With Sputtered AlN Nucleation Layer
Veröffentlicht in IEEE photonics technology letters
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Effect of thickness variation in high-efficiency InGaN/GaN light-emitting diodes
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Vertical InGaN light-emitting diode with a retained patterned sapphire layer
Veröffentlicht in Optics express
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Vertical InGaN light-emitting diodes with a sapphire-face-up structure
Veröffentlicht in Optics express
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Vertical InGaN light-emitting diode with a retained patterned sapphire layer
Veröffentlicht in Optics express
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