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Effect of Very Thin SiC Layer on Heteroepitaxial Growth of Cubic GaN on Si (001) von Yuichi Hiroyama, Yuichi Hiroyama, Masao Tamura, Masao Tamura

Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics

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Secondary defects in low-energy As- and BF2-implanted Si von TAMURA, M, HIROYAMA, Y, NISHIDA, A

Veröffentlicht in Materials chemistry and physics

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3

In situ transmission electron microscope observations of misfit strain relaxation and coalescence stages of Si1−xGex on Si(001) von Hiroyama, Yuichi, Tamura, Masao

Veröffentlicht in Thin solid films

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4

In situ transmission electron microscope observations of misfit strain relaxation and coalescence stages of Si sub(1-x)Ge sub(x) on Si(001) von Hiroyama, Yuichi, Tamura, Masao

Veröffentlicht in Thin solid films

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JPS6015992B von HIROYAMA MASAO

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Secondary defects in low-energy As- and BF 2-implanted Si von Tamura, Masao, Hiroyama, Yuichi, Nishida, Akio

Veröffentlicht in Materials chemistry and physics

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7

JPS5915552B von KAMAE NAOHIKO, HIROYAMA MASAO

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Cubic GaN Heteroepitaxy on Thin-SiC-Covered Si(001) von Hiroyama, Yuichi, Tamura, Masao

Veröffentlicht in MRS Internet journal of nitride semiconductor research

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9

JPH0412061B von KOBAYASHI KIMITOMO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

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10

JPS6223915B von KAMAE NAOHIKO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

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11

JPS6142310B von KAMAE NAOHIKO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

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12

PROCESSING DEVICE FOR PATTERN/CODE CONVERSION von KOBAYASHI KIMITOMO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

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PATTERN GENERATOR von KOSUGI MAKOTO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

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14

MARK READ SYSTEM USING FACSIMILE TRANSMITTER von KOBAYASHI KIMITOMO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

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FACSIMILE CONTROL METHOD von MORI KATSUMI, NAGURA MASAKAZU, HIROYAMA MASAO

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JPS51107710 von MORI KATSUMI, NAGURA MASAKAZU, HIROYAMA MASAO

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SHOGAJOHONO DENSOHOSHIKI von MORI KATSUMI, SAHASHI JOJI, HIROYAMA MASAO

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18

JPH0447511B von KOBAYASHI KIMITOMO, KOSUGI MAKOTO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

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19

An Approach to Facsimile-Computer Communication von OGAWA, Hiroshi, KOBAYASHI, Tomonori, HIROYAMA, Masao

Veröffentlicht in ITE Technical Report

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20

JPS6321387B von KOSUGI MAKOTO, TANBARA MASAO, YAMADA TOYOMICHI, HIROYAMA MASAO

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Effect of Very Thin SiC Layer on Heteroepitaxial Growth of Cubic GaN on Si (001) von Yuichi Hiroyama, Yuichi Hiroyama, Masao Tamura, Masao Tamura

Secondary defects in low-energy As- and BF2-implanted Si von TAMURA, M, HIROYAMA, Y, NISHIDA, A

In situ transmission electron microscope observations of misfit strain relaxation and coalescence stages of Si1−xGex on Si(001) von Hiroyama, Yuichi, Tamura, Masao

In situ transmission electron microscope observations of misfit strain relaxation and coalescence stages of Si sub(1-x)Ge sub(x) on Si(001) von Hiroyama, Yuichi, Tamura, Masao

JPS6015992B von HIROYAMA MASAO

Secondary defects in low-energy As- and BF 2-implanted Si von Tamura, Masao, Hiroyama, Yuichi, Nishida, Akio

JPS5915552B von KAMAE NAOHIKO, HIROYAMA MASAO

Cubic GaN Heteroepitaxy on Thin-SiC-Covered Si(001) von Hiroyama, Yuichi, Tamura, Masao

JPH0412061B von KOBAYASHI KIMITOMO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

JPS6223915B von KAMAE NAOHIKO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

JPS6142310B von KAMAE NAOHIKO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

PROCESSING DEVICE FOR PATTERN/CODE CONVERSION von KOBAYASHI KIMITOMO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

PATTERN GENERATOR von KOSUGI MAKOTO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

MARK READ SYSTEM USING FACSIMILE TRANSMITTER von KOBAYASHI KIMITOMO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

FACSIMILE CONTROL METHOD von MORI KATSUMI, NAGURA MASAKAZU, HIROYAMA MASAO

JPS51107710 von MORI KATSUMI, NAGURA MASAKAZU, HIROYAMA MASAO

SHOGAJOHONO DENSOHOSHIKI von MORI KATSUMI, SAHASHI JOJI, HIROYAMA MASAO

JPH0447511B von KOBAYASHI KIMITOMO, KOSUGI MAKOTO, OGAWA HIROSHI, HIROYAMA MASAO

An Approach to Facsimile-Computer Communication von OGAWA, Hiroshi, KOBAYASHI, Tomonori, HIROYAMA, Masao

JPS6321387B von KOSUGI MAKOTO, TANBARA MASAO, YAMADA TOYOMICHI, HIROYAMA MASAO

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