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    Zweipol-Triodentransistor und Verfahren zu seiner Herstellung

    Zweipol-Triodentransistor und Verfahren zu seiner Herstellung von HENRY RAUSCHER,DANIEL

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    Verfahren zum Herstellen einer duennen leitenden Zone unter der Oberflaeche eines Siliciumkoerpers

    Verfahren zum Herstellen einer duennen leitenden Zone unter der Oberflaeche eines Siliciumkoerpers von HENRY RAUSCHER,DANIEL

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    DE1489258

    DE1489258 von RAUSCHER, DANIEL HENRY, LEBANON, N.J. (V.ST.A.)

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