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Analysis of point defects in AlN epilayers by cathodoluminescence spectroscopy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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MOVPE growth of high-quality Al0.1Ga0.9N on Si(111) substrates for UV-LEDs
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Benefit Oriented Production Data Acquisition for the Production Planning and Control
Veröffentlicht in Procedia CIRP
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Stress Relaxation in Low-Strain AlInN/GaN Bragg Mirrors
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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