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Growth and surface chemistry of oxynitride gate dielectric using nitric oxide
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Fermi-level pinning at the polysilicon/metal oxide interface-Part I
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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Impact of metal–oxide gate dielectric on minority carrier lifetime in silicon
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
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