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The development of novel ninhydrin analogues
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High Quality 150 mm 4H SiC Wafers for Power Device Production
Veröffentlicht in Materials science forum
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Study of V and Y Shape Frank-Type Stacking Faults Formation in 4H-SiC Epilayer
Veröffentlicht in Materials science forum
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Large Area 4H SiC Products for Power Electronic Devices
Veröffentlicht in Materials Science Forum
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Characterization of V-shaped Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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