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Effectiveness of AlN encapsulant in annealing ion-implanted SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Al, B, and Ga ion-implantation doping of SiC
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Variable-dose (1017–1020 cm−3) phosphorus ion implantation into 4H–SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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