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Electronic band structure and effective mass parameters of Ge1-xSnx alloys
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Analytical Model for the Channel Maximum Temperature in Ga2O3 MOSFETs
Veröffentlicht in Nanoscale research letters
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Ge N-Channel MOSFETs with ZrO2 Dielectric Achieving Improved Mobility
Veröffentlicht in Nanoscale research letters
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Design technology co-optimization towards sub-3 nm technology nodes
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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