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Fast Deposition Process for Graded SiGe Buffer Layers
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
VolltextArtikel -
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Sub-100 nm Gate Technologies for Si/SiGe-Buried-Channel RF Devices
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Microwave noise performance and modeling of SiGe-based HFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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