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    Disturb and its Mitigation in Ferroelectric Field-Effect Transistors With Large Memory Window for NAND Flash Applications

    Disturb and its Mitigation in Ferroelectric Field-Effect Transistors With Large Memory Window for NAND Flash Applications von Venkatesan, Prasanna, Park, Chinsung, Song, Taeyoung, Fernandes, Lance, Das, Dipjyoti, Afroze, Nashrah, Gundlapudi Ravikumar, Priyankka, Tian, Mengkun, Chen, Hang, Chern, Winston, Kim, Kijoon, Woo, Jongho, Lim, Suhwan, Kim, Kwangsoo, Kim, Wanki, Ha, Daewon, Mahapatra, Souvik, Yu, Shimeng, Datta, Suman, Khan, Asif

    Veröffentlicht in IEEE electron device letters

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    Conditions for Domain-Free Negative Capacitance

    Conditions for Domain-Free Negative Capacitance von Ravindran, Prasanna Venkatesan, Ravikumar, Priyankka Gundlapudi, Khan, Asif Islam


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