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    Structural Properties of Tensile-Strained Si Layers Grown on Si0.6Ge0.4 and Si0.5Ge0.5 Virtual Substrates

    Structural Properties of Tensile-Strained Si Layers Grown on Si0.6Ge0.4 and Si0.5Ge0.5 Virtual Substrates von Hartmann, Jean-Michel, Abbadie, Alexandra, Rouchon, Denis, Guinche, Yannick, Holliger, Philippe, Rolland, Guy, Buisson, M., Mermoux, Michel, Brunier, F., Defranoux, C., Pierrel, F., Billon, Thierry

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