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    Impact of composition of AlGaInAs confining barriers on emission of InAs quantum dots embedded in AlGaAs/GaAs dot-in-a-well heterostructures

    Impact of composition of AlGaInAs confining barriers on emission of InAs quantum dots embedded in AlGaAs/GaAs dot-in-a-well heterostructures von Torchynska, T., Cisneros-Tamayo, R., Guerrero Moreno, I.J., Polupan, G., Stintz, A.

    Veröffentlicht in Optical materials

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    Photoluminescence variation in InAs quantum dots embedded in InGaAs/AlGaAs quantum wells at thermal annealing

    Photoluminescence variation in InAs quantum dots embedded in InGaAs/AlGaAs quantum wells at thermal annealing von Guerrero Moreno, I.J., Torchynska, T.V., Casas Espinola, J.L.


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    Emission of InAs quantum dots embedded in InGaAs/InAlGaAs/GaAs quantum wells

    Emission of InAs quantum dots embedded in InGaAs/InAlGaAs/GaAs quantum wells von Cisneros Tamayo, R., Guerrero Moreno, I.J., Polupan, G., Torchynska, T.V., Palacios Gomez, J.

    Veröffentlicht in Journal of luminescence

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    Photoluminescence of InAs quantum dots embedded in AlGaAs/InGaAs quantum wells with strain reducing layer

    Photoluminescence of InAs quantum dots embedded in AlGaAs/InGaAs quantum wells with strain reducing layer von Cisneros Tamayo, R., Torchynska, T.V., Polupan, G., Guerrero Moreno, I.J., Velázquez Lozada, E., Shcherbyna, L.


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