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Signatures of interaction-induced helical gaps in nanowire quantum point contacts
Veröffentlicht in Nature physics
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Ballistic Transport and Exchange Interaction in InAs Nanowire Quantum Point Contacts
Veröffentlicht in Nano letters
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n-Channel MOSFETs Fabricated on SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Direct Bandgap Group IV Epitaxy on Si for Laser Applications
Veröffentlicht in Chemistry of materials
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Study of GeSn based heterostructures: towards optimized group IV MQW LEDs
Veröffentlicht in Optics express
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Adiabatic Edge Channel Transport in a Nanowire Quantum Point Contact Register
Veröffentlicht in Nano letters
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Quantum size effects in ultra-thin YBa2Cu3O7 − x films
Veröffentlicht in Scientific reports
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Opto-electronic characterization of three dimensional topological insulators
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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