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    Improved GaN films with low background doping and low deep trap density grown by hydride vapor phase epitaxy

    Improved GaN films with low background doping and low deep trap density grown by hydride vapor phase epitaxy von Polyakov, Alexander, Smirnov, Nikolai, Govorkov, Anatoli, Kozhukhova, Elena, Yugova, Tatiana, Usikov, Alexander, Helava, Heikki, Makarov, Yuri

    Veröffentlicht in Physica status solidi. C

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