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Prospects for hole doping in dilute-anion III-nitrides
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Gain characteristics of InGaN quantum wells with AlGaInN barriers
Veröffentlicht in AIP advances
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Band alignment of ScAlN/GaN heterojunction
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Power electronics figure-of-merit of ScAlN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Type-II AlInN/ZnGeN2 quantum wells for ultraviolet laser diodes
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Dilute-As InGaNAs/GaN Quantum Wells for High-Efficiency Red Emitters
Veröffentlicht in IEEE journal of quantum electronics
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Band Anti-Crossing Model in Dilute-As GaNAs Alloys
Veröffentlicht in Scientific reports
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Electrical properties of MgO/GaN metal-oxide-semiconductor structures
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Imaging of X-ray Pairs in a Spontaneous Parametric Down-Conversion Process
Veröffentlicht in arXiv.org
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Whole-genome analysis of histone H3 lysine 27 trimethylation in Arabidopsis
Veröffentlicht in PLoS biology
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Electron Energy Partition across Interplanetary Shocks. III. Analysis
Veröffentlicht in The Astrophysical journal
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