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Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Surface topography changes during the growth of GaAs by molecular beam epitaxy
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Veröffentlicht in Translational psychiatry
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Calcium contamination of silicon epitaxy
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Si1?XGeX/Si quantum well infrared photodetectors
Veröffentlicht in Journal of materials science. Materials in electronics
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Veröffentlicht in Thin solid films
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