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High-Power Microwave Photodiodes Based on MBE-Grown InAlAs/InGaAs Heterostructures
Veröffentlicht in Technical physics
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Mobile line in the acceptor photoluminescence spectrum of “pure” GaAs
Veröffentlicht in JETP letters
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MBE-grown AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetectors
Veröffentlicht in Technical physics
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Donor-acceptor recombination in type-II GaAs/AlAs superlattices
Veröffentlicht in Physics of the solid state
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Exciton recombination in δ-doped type-II GaAs/AlAs superlattices
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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