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Strain and misorientation in GaAs grown on Si(001) by organometallic epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Growth of CdTe on InSb by organometallic vapor phase epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Arsenic-doped p-CdTe layers grown by organometallic vapor phase epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Indium doping of n-type HgCdTe layers grown by organometallic vapor phase epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Crystallographic tilting of heteroepitaxial layers
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Surface recombination velocity and lifetime in InP
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Chemical etching of germanium
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Compensation mechanisms in n +-GaAs doped with silicon
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Fabrication of GaAs tunnel junctions by a rapid thermal diffusion process
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Growth and characterization of CdTe, HgTe and HgCdTe by atomic layer epitaxy
Veröffentlicht in Thin solid films
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