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    Ti- and Pt-based Schottky gates for InGaSb p-channel HFET development

    Ti- and Pt-based Schottky gates for InGaSb p-channel HFET development von Geng-Ying Liau, Heng-Kuang Lin, Pei-Chin Chiu, Han-Chieh Ho, Jen-Inn Chyi, Chih-Hsin Ko, Ta-Ming Kuan, Meng-Kuei Hsieh, Wen-Chin Lee, Wann, Clement H


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    DC and RF characteristics of InAs-channel MOS-MODFETs using PECVD SiO2 as gate dielectrics

    DC and RF characteristics of InAs-channel MOS-MODFETs using PECVD SiO2 as gate dielectrics von Han-Chieh Ho, Ta-Wei Fan, Geng-Ying Liau, Heng-Kuang Lin, Pei-Chin Chiu, Jen-Inn Chyi, Chih-Hsin Ko, Ta-Ming Kuan, Meng-Kuei Hsieh, Wen-Chin Lee, Wann, Clement H


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