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1
PROCESS AND APPARATUS FOR OBTAINING BULK MONOCRYSTALLINE GALLIUM-CONTAINING NITRIDE
von
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
,
DORADZI SKI ROMAN MAREK
,
DWILI SKI ROBERT TOMASZ
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK PIOTR
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Method of and apparatus for obtaining voluminous, gallium containing, monocrystalline nitride
von
DORADZI SKI ROMAN
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK
,
DWILI SKI ROBERT
,
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
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Bulk monocrystalline gallium nitride
von
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
,
DORADZI SKI ROMAN MAREK
,
DWILI SKI ROBERT TOMASZ
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK PIOTR
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4
Method of obtaining voluminal mono-crystalline nitride containing gallium
von
DORADZI SKI ROMAN
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK P
,
DWILI SKI ROBERT
,
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
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5
NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND A METHOD FOR IMPROVING ITS PERFORMANCE
von
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
,
DORADZI SKI ROMAN MAREK
,
DWILI SKI ROBERT TOMASZ
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK PIOTR
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6
Bulk monocrystalline gallium nitride
von
Dwili ski, Robert Tomasz
,
Doradzi ski, Roman Marek
,
Garczy ski, Jerzy
,
Sierzputowski, Leszek Piotr
,
Kanbara, Yasuo
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7
PHOSPHOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR COMPONENT USING THE SAME
von
DORADZI SKI ROMAN
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK
,
DWILI SKI ROBERT
,
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
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Patent
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Epitaxy substrate
von
DORADZI SKI ROMAN
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK P
,
DWILI SKI ROBERT
,
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
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Patent
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9
Substrate for epitaxial depositing of semiconductor structures made of nitrides of group XIII chemical elements as well as method for producing substrate for epitaxial depositing o...
von
DORADZI SKI ROMAN
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK P
,
DWILI SKI ROBERT
,
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
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After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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Refining By Zone-Melting Of Material
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Single Crystals Or Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Unidirectional Solidification Of Eutectic Material Orunidirectional Demixing Of Eutectoid Material
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