50 nm MHEMT Technology for G- and H-Band MMICs von Leuther, A., Tessmann, A., Dammann, M., Schworer, C., Schlechtweg, M., Mikulla, M., Losch, R., Weimann, G.

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InP DHBT-Based Monolithically Integrated CDR/DEMUX IC Operating at 80 Gbit/s von Makon, R.E., Driad, R., Schneider, K., Ludwig, M., Aidam, R., Quay, R., Schlechtweg, M., Weimann, G.

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Comparison of InP/InGaAs DHBT distributed amplifiers as modulator drivers for 80-Gbit/s operation von Schneider, K., Driad, R., Makon, R.E., Massler, H., Ludwig, M., Quay, R., Schlechtweg, M., Weimann, G.

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Femtosecond carrier dynamics in GaAs far from equilibrium von Leitenstorfer, A, Fürst, C, Laubereau, A, Kaiser, W, Tränkle, G, Weimann, G

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Wannier-Stark localization in superlattices von HAMAGUCHI, C, YAMAGUCHI, M, MUTO, S, NAGASAWA, H, MORIFUJI, M, DI CARLO, A, VOGL, P, BÖHM, G, TRÄNKLE, G, WEIMANN, G, NISHIKAWA, Y

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Avalanche multiplication due to impact ionization in quantum-well infrared photodetectors: A quantitative approach von Rehm, Robert, Schneider, Harald, Walther, Martin, Koidl, Peter, Weimann, Günter

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2 S/mm transconductance InAs-inserted-channel modulation doped field effect transistors with a very close gate-to-channel separation of 14.5 nm von XU, D, HEISS, H, SEXL, M, KRAUS, S, BÖHM, G, TRÄNKLE, G, WEIMANN, G, ABSTREITER, G

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14xx-nm high brightness tapered diode lasers grown by solid-source MBE von Kallenbach, S., Aidam, R., Losch, R., Kaufel, G., Kelemen, M.T., Mikulla, M., Weimann, G.

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CBE grown (GaIn)(AsP) laser diodes for monolithic integration von KRATZER, H, NUTSCH, A, TORABI, B, TRÄNKLE, G, WEIMANN, G

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HIGH SPEED SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATOR von CHRISTOPHER D W JONES, MAHMOUD RASRAS, SANJAY SHANTILAL PATEL, NILS GUNTER WEIMANN, DOUGLAS M GILL

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20th International Symposium on GaAs & related compounds von Weimann, Gunter

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Metamorphic 50 nm InAs-channel HEMT von Leuther, A., Weber, R., Dammann, M., Schlechtweg, M., Mikulla, M., Walther, M., Weimann, G.

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Band-edge aligned quaternary carrier barriers in InGaAs-AlGaAs high-power diode lasers for improved high-temperature operation von Wiedmann, N., Schmitz, J., Boucke, K., Herres, N., Wagner, J., Mikulla, M., Poprawe, R., Weimann, G.

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Spontaneous emission factor and waveguiding in GaAs/AlGaAs MQW lasers von Hausser, S., Idler, W., Zielinski, E., Pilkuhn, M.H., Weimann, G., Schlapp, W.

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27a-N-1 High Field Magneto-Spectroscopy on GaAs/GaAlAs Heterostructure von Wolfgang, Staguhn, 三浦, 登, 嶽山, 正二郎, Gunter, Weimann

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Transport properties of semiconductor heterostructures von Weimann, Günter

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Improved brightness using tapered diode lasers von Kelemen, M.T., Weber, J., Mikulla, M., Weimann, G.

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PROCESS FOR PREPARING S-ADENOSYL HOMOCYSTEINE von ERICH HAID, GUNTER WEIMANN

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Multiple quantum well AlGaAs/GaAs field-effect transistor structures for power applications von DAEMBKES, H

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Femtosecond Carrier Dynamics in GaAs Far from Equilibrium von Leitenstorfer, Alfred, Fürst, Cornelius, Laubereau, Alfred, Kaiser, Wolfgang, Tränkle, Günther, Weimann, Günter

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