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Indium and gallium diffusion through zirconia in the TiN/ZrO2/InGaAs stack
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Resistance switching in HfO2-based OxRRAM devices
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Modification of porous ultra-low K dielectric by electron-beam curing
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
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Study of void growth in 120 nm copper lines by in situ SEM
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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