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Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2 Field Effect Transistors
Veröffentlicht in Advanced functional materials
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Field Emission in Ultrathin PdSe2 Back‐Gated Transistors
Veröffentlicht in Advanced electronic materials
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High field-emission current density from β-Ga2O3 nanopillars
Veröffentlicht in Applied physics letters
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A Self‐Powered CNT–Si Photodetector with Tuneable Photocurrent
Veröffentlicht in Advanced electronic materials
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Field Emission Characterization of MoS2 Nanoflowers
Veröffentlicht in Nanomaterials (Basel, Switzerland)
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UVscope and its application aboard the ASTRI-Horn telescope
Veröffentlicht in Experimental astronomy
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A Current–Voltage Model for Double Schottky Barrier Devices
Veröffentlicht in Advanced electronic materials
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Graphene Schottky Junction on Pillar Patterned Silicon Substrate
Veröffentlicht in Nanomaterials (Basel, Switzerland)
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Graphene–Silicon Device for Visible and Infrared Photodetection
Veröffentlicht in ACS applied materials & interfaces
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Etch and Print: Graphene-Based Diodes for Silicon Technology
Veröffentlicht in ACS nano
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Field emission from two-dimensional GeAs
Veröffentlicht in Journal of physics. D, Applied physics
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