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    Bit Upset of 25 nm NAND Flash Memory Induced by Heavy Ion Irradiation

    Bit Upset of 25 nm NAND Flash Memory Induced by Heavy Ion Irradiation von SHENG Jiangkun1,2, XU Peng1, QIU Mengtong2, DING Lili2, LUO Yinhong2, YAO Zhibin2, ZHANG Fengqi2, GOU Shilong2, WANG Zujun2

    Veröffentlicht in Yuanzineng kexue jishu

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