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Characteristics of n-InAs/p-InAsSb heterojunctions with a cutoff wavelength of 4.8 μm
Veröffentlicht in Rare metals
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Characteristics of n-InAs/p-InAsSb heterojunctions with a cutoff wavelength of 4.8 [mu]m
Veröffentlicht in Rare metals
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Liquid phase epitaxial growth of high-quality GaInAsSb/InAs
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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LPE Growth of Ga1 - xInxSb Multi-grading Layers
Veröffentlicht in Crystal research and technology (1979)
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