-
1
A-Si:H-based LCLV with an CdTe and VOPc multiple absorption layers
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20