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Study of InxGa1-xN/GaN Homotype Heterojunction IMPATT Diodes
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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Study of In x Ga 1- x N/GaN Homotype Heterojunction IMPATT Diodes
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Study of In x Ga1- x N/GaN Homotype Heterojunction IMPATT Diodes
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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In situ monitoring of GaN substrate surface in ICP containing energetic electrons
Veröffentlicht in Applied surface science
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