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Design Of Ion-implanted MOSFET's with Very Small Physical Dimensions
Veröffentlicht in Proceedings of the IEEE
VolltextArtikel -
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Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Very small MOSFET's for low-temperature operation
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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A study of channel avalanche breakdown in scaled n-MOSFET's
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Nonuniform displacement of MOSFET channel pinchoff
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Nonuniform displacement of MOSFET channel pinchoff
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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