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Incidence and predictors of acute symptomatic seizures after stroke
Veröffentlicht in Neurology
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Thermionic Field Emission in the Lifetime Estimation of p-GaN Gate HEMTs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Recent advances on dielectrics technology for SiC and GaN power devices
Veröffentlicht in Applied surface science
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Aluminum Frenkel defects cause hysteresis in Al2O3/AlGaN capacitors
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Ni Schottky barrier on heavily doped phosphorous implanted 4H-SiC
Veröffentlicht in Journal of physics. D, Applied physics
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Diagnostic accuracy of percutaneous biopsy in retroperitoneal sarcoma
Veröffentlicht in British journal of surgery
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