The evaluation of the current–voltage and capacitance–voltage-frequency measurements of Yb/p-Si Schottky diodes with a high zero-bias barrier height von Lapa, Havva Elif, Güçlü, Çiğdem Şükriye, Aldemir, Durmuş Ali, Özdemir, Ahmet Faruk

Volltext

On the impact of pure PVC and (PVC: Ti) interlayer on the conduction mechanisms and physical parameters of classic metal-semiconductor (MS) Schottky diodes (SDs) von Güçlü, Çiğdem Şükriye

Volltext

Electric and dielectric responses of Au/n-Si structure by Mn doped PVC interfacial layers von Badali, Yosef, Güçlü, Çiğdem Şükriye

Volltext

A comparison electrical characteristics of the Au/(pure-PVA)/n-Si and Au/(CdTe doped-PVA)/n-Si (MPS) type Schottky structures using I–V and C–V measurements von Güçlü, Çiğdem Şükriye, Ulusoy, Murat, Altındal, Şemsettin

Volltext

A high sensitivity temperature coefficient of the Au/n-Si with (CdTe-PVA) structure based on capacitance/conductance-voltage (C/G-V) measurements in a wide range of temperature von Erbilen Tanrıkulu, Esra, Güçlü, Çiğdem Şükriye, Altındal, Şemsettin, Durmuş, Haziret

Volltext

Mo/n-Si Schottky Diyotların Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Karakteristiklerinin Analizi von GÜÇLÜ, Çiğdem Şükriye, ÖZDEMİR, Ahmet Faruk, ALDEMİR, Durmuş Ali

Volltext

Mo/n-Si Schottky Diyotların Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Karakteristiklerinin Analizi von Çiğdem Şükriye Güçlü, Ahmet Faruk Özdemir, Durmuş Ali Aldemir

Volltext

Voltage and frequency reliant interface traps and their lifetimes of the MPS structures interlayered with CdTe:PVA via the admittance method von Guclu, Cigdem Sukriye, Altındal, Şemsettin, Erbilen Tanrikulu, Esra

Volltext