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Boron Diffusion Behavior During the Formation of Shallow p+/n Junction Using the Combination of Ge Pre-amorphization Implantation, Pre-Annealing RTA and Post-Annealing Non-Melt Exc...
von
Binti Aid, Siti Rahmah
,
Matsumoto, Satoru
,
Suzuki, Toshiharu
,
Fuse, Gensyu
,
Nakazawa, Toshihiro
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Formation of ultrashallow junctions less than 10nm with the combination of low energy B ion implantation and laser annealing
von
Yamada, Ryuta
,
Seto, Singo
,
Sato, Sosi
,
Tanaka, Yuki
,
Matumoto, Satoru
,
Suzuki, Toshiharu
,
Fuse, Gensyu
,
Kudo, Tosio
,
Sakuragi, Susumu
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Boron Diffusion Behavior during the Formation of Shallow p+/n Junction using the combination of Ge Pre-amorphization Implantation, Pre-Annealing RTA and Post-Annealing Non Melt Exc...
von
Binti Aid, Siti Rahmah
,
Matsumoto, Satoru
,
Suzuki, Toshiharu
,
Fuse, Gensyu
,
Nakazawa, Toshihiro
Veröffentlicht in
Meeting abstracts (Electrochemical Society)
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Effect of Low Temperature Annealing Prior to Non-melt Laser Annealing in Ultra-shallow Junction Formation
von
Fukaya, T.
,
Yamada, R.
,
Tanaka, Y.
,
Matsumoto, S.
,
Suzuki, T.
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