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Etch mechanism of an Al2O3 hard mask in the Bosch process
Veröffentlicht in Micro and Nano Engineering
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SiGe p-n-p HBTs With 265-GHz fmax, 175-GHz fT, and 3.65-ps Gate Delay
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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SiGe p-n-p HBTs With 265-GHz f max, 175-GHz f T, and 3.65-ps Gate Delay
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Chemical vapor phase etching of polycrystalline selective to epitaxial Si and SiGe
Veröffentlicht in Thin solid films
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(Invited) Graphene Synthesis and Processing on Ge Substrates
Veröffentlicht in Meeting abstracts (Electrochemical Society)
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