-
1
Elastic constants and critical thicknesses of ScGaN and ScAlN
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
2
NRC-interacting factor directs neurite outgrowth in an activity-dependent manner
Veröffentlicht in Neuroscience
VolltextArtikel -
3
-
4
-
5
Structure and strain relaxation effects of defects in InxGa1−xN epilayers
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
6
-
7
-
8
-
9
Dislocation core structures in Si-doped GaN
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
10
Evaluation of InGaN/GaN light-emitting diodes of circular geometry
Veröffentlicht in Optics express
VolltextArtikel -
11
Electrically injected whispering-gallery mode InGaN/GaN microdisks
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
12
-
13
-
14
-
15
Two-bit ferroelectric field-effect transistor memories assembled on individual nanotubes
Veröffentlicht in Nanotechnology
VolltextArtikel -
16
-
17
Packaging of InGaN stripe-shaped light-emitting diodes
Veröffentlicht in Applied optics (2004)
VolltextArtikel -
18
The atomic structure of polar and non-polar InGaN quantum wells and the green gap problem
Veröffentlicht in Ultramicroscopy
VolltextArtikel -
19
Cdk5 is involved in neuregulin-induced AChR expression at the neuromuscular junction
Veröffentlicht in Nature neuroscience
VolltextArtikel -
20
Whispering-gallery mode InGaN microdisks on GaN substrates
Veröffentlicht in Optics express
VolltextArtikel