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Tin and tellurium doping of InAs using SnTe in molecular beam epitaxy (MBE)
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Heterojunction GaAs/GaAlAs I 2 L-ring oscillators fabricated by MBE
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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Heterojunction GaAs/GaAlAs I2L-ring oscillators fabricated by MBE
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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