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Dislocation networks in conventional and surfactant-mediated Ge/Si(1 1 1) epitaxy
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Kinetic Model of the Initial Stage of the Nanowire Growth
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Step Flow Model of Radial Growth and Shape Evolution of Semiconductor Nanowires
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Terrace-edge-kink model of atomic processes at the permeable steps
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Statistics of second layer nucleation in heteroepitaxial growth
Veröffentlicht in Surface science
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Influence of strain on binding energies of Si atoms at Ge( [formula omitted]) surfaces
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Si nucleation on Si(1 1 1)-7 × 7: From cluster pairs to 2D islands
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