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Indium: A surfactant for the growth of ɛ/κ-Ga2O3 by molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in APL materials
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Temperature dependence of the thermal expansion of AlN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Growth of β-Ga2O3 and ϵ/κ-Ga2O3 on AlN(0001) by molecular-beam epitaxy
Veröffentlicht in APL materials
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Single photon emission from InGaN/GaN quantum dots up to 50 K
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Growth of AlN by pulsed and conventional MOVPE
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Growth and characterization of nitride-based distributed Bragg reflectors
Veröffentlicht in Physica Status Solidi (b)
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Magnesium segregation and the formation of pyramidal defects in p -GaN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Nucleation Window of Ga2O3 and In2O3 for Molecular Beam Epitaxy on (0001) Al2O3
Veröffentlicht in Crystal growth & design
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