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Submicron AlInAs/InGaAs HBT with 160 GHz fT at 1 mA collector current
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Patterned n+ implant into InP substrate for HBT subcollector
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Submicron AlInAs/InGaAs HBT with 160 GHz f/sub T/ at 1 mA collector current
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Thermal resistance characterization of implanted subcollector InP-based HBTs
Veröffentlicht in IEEE transactions on device and materials reliability
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