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High-voltage MIS-gated GaN transistors
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures
Veröffentlicht in Russian microelectronics
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The Concept of Normalization of Probabilistic Radiation Risk
Veröffentlicht in Atomic energy (New York, N.Y.)
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