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A 1.67Tb, 5b/Cell Flash Memory Fabricated in 192-Layer Floating Gate 3D-nand Technology and Featuring a 23.3 Gb/mm 2 Bit Density
von
Khakifirooz, Ali
,
Anaya, Eduardo
,
Balasubrahmanyam, Sriram
,
Bennett, Geoff
,
Castro, Daniel
,
Egler, John
,
Fan, Kuangchan
,
Ferdous, Rifat
,
Ganapathi, Kartik
,
Guzman, Omar
,
Ha, Chang Wan
,
Haque, Rezaul
,
Harish, Vinaya
,
Jalalifar, Majid
,
Jungroth, Owen W.
,
Kang, Sung-Taeg
,
Karbasian, Golnaz
,
Kim, Jee-Yeon
,
Li, Siyue
,
Madraswala, Aliasgar S.
,
Maddukuri, Srivijay
,
Mohammed, Amr
,
Mookiah, Shanmathi
,
Nagabhushan, Shashi
,
Ngo, Binh
,
Patel, Deep
,
Poosarla, Sai Kumar
,
Prabhu, Naveen V.
,
Quiroga, Carlos
,
Rajwade, Shantanu
,
Rahman, Ahsanur
,
Shah, Jalpa
,
Shenoy, Rohit S.
,
Menson, Ebenezer Tachie
,
Tankasala, Archana
,
Thirumala, Sandeep Krishna
,
Upadhyay, Sagar
,
Upadhyayula, Krishnasree
,
Velasco, Ashley
,
Vemula, Nanda Kishore Babu
,
Venkataramaiah, Bhaskar
,
Zhou, Jiantao
,
Pathak, Bharat M.
,
Kalavade, Pranav
Veröffentlicht in
IEEE solid-state circuits letters
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,
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,
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,
Bennett, Geoff
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,
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,
Ganapathi, Kartik
,
Guzman, Omar
,
Ha, Chang Wan
,
Haque, Rezaul
,
Harish, Vinaya
,
Jalalifar, Majid
,
Jungroth, Owen W.
,
Kang, Sung-Taeg
,
Karbasian, Golnaz
,
Kim, Jee-Yeon
,
Li, Siyue
,
Madraswala, Aliasgar S.
,
Maddukuri, Srivijay
,
Mohammed, Amr
,
Mookiah, Shanmathi
,
Nagabhushan, Shashi
,
Ngo, Binh
,
Patel, Deep
,
Poosarla, Sai Kumar
,
Prabhu, Naveen V.
,
Quiroga, Carlos
,
Rajwade, Shantanu
,
Rahman, Ahsanur
,
Shah, Jalpa
,
Shenoy, Rohit S.
,
Menson, Ebenezer Tachie
,
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,
Thirumala, Sandeep Krishna
,
Upadhyay, Sagar
,
Upadhyayula, Krishnasree
,
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